近年来,氧化锌(ZnO)成为继氮化镓(GaN)之后光电领域内的又一个热门研究课题。ZnO是一种宽禁带(室温下禁带宽度为3.37 eV)半导体材料,具有良好的透明导电性、压电性、光电性等特性。由于这些优异的性质,使ZnO具有广泛的用途,如制备表面声波器件、紫外光探测器、压电器件、紫外发光器件、气敏传感器等。除此之外ZnO材料的另一个重要的应用就是制备透明导电薄膜。人们主要是利用磁控溅射和金属有机化学气相沉积方法制备透明导电薄膜,取得了一定的研究成果。但是由于溅射和MOCVD生长系统设备比较复杂,价格也很昂贵,所以制备的薄膜成本较高。为了实现未来的商业化应用,有必要了开发一种工艺简单、成本低廉的ZnO透明导电薄膜的方法。和磁控溅射、金属有机化学气相沉积技术相比,真空蒸发镀膜方法简单、易操作、适合工业化生产并能得到大面积的薄膜。但是真空蒸发镀膜方法不能直接用来蒸镀ZnO薄膜,所以我们尝试利用真空蒸发氧化方法来制备ZnO透明导电薄膜。首先蒸发沉积一层Zn膜,然后将Zn膜热氧化来制备ZnO透明导电薄膜。结果现显示利用这种方法制备的ZnO透明导电薄膜具有c轴择优生长取向。讨论了薄膜的择优定向生长过程、特点及影响因素。原创性的开发了分步氧化法对Zn薄膜进行氧化来制备ZnO透明导电薄膜,并且研究不同的氧化方法对ZnO透明导电薄膜的影响。采用X射线衍射(XRD)以及透射光谱研究了不同氧化过程对ZnO透明导电薄膜的结构,光学性能的影响。结果表明采用分步氧化法得到的ZnO样品性能明显优于直接氧化制备的ZnO,获得的样品的最高可见光透过率大于90%。