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随着功率变换器不断地往高频、高效、高功率密度等方面发展，电子设备的电磁干扰(Electro Magnetic Interference，EMI)问题日渐凸显，其中功率器件是主要干扰源。Si/SiC混合器件凭借其优异的性能和折衷的性价比，在功率变换器中具有广阔的应用前景。由于开关自由度高，Si/SiC混合器件在不同驱动模式下会有不同的开关速度，从而导致不同的共模(Common Mode，CM)EMI效应。此外，Si/SiC混合器件具有灵活的电流配比，不同电流配比的Si/SiC混合器件的开关特性也不同，从而对变换器的CMEMI噪声造成影响。目前，由于缺乏相关的研究，使得驱动模式设计和电流配比选取不够全面，无法满足多种应用的需要。因此，本文以Boost变换器为实验平台，深入分析Si/SiC混合器件的不同驱动模式和电流配比对CMEMI噪声的影响，从而为其驱动模式设计和电流配比选取提供理论依据。
首先，本文设计并搭建了基于Si/SiC混合器件的Boost变换器实验平台。设计了一款高可靠驱动电路，提高了混合器件的抗短路能力。设计了Boost变换器的主电路参数，仿真验证了参数设计的有效性。遵循PCB电路板电磁兼容设计规则，提高了Boost变换器的电磁兼容性。比较分析了相同容量等级的SiIGBT、Si/SiC混合器件和SiCMOSFET在Boost变换器中的效率和CMEMI噪声，反映了Si/SiC混合器件的应用优势。
然后，本文研究了Si/SiC混合器件的不同驱动模式和栅极电阻对Boost变换器CMEMI噪声的影响。建立了理想CM电压的频谱模型，并推导出了频谱包络线解析方程。阐述了四种驱动模式的优缺点及其开关过程。理论分析了不同驱动模式和栅极电阻对CM电压的影响。测量并分析了Boost变换器在不同驱动模式和栅极电阻下的CMEMI噪声，为驱动模式设计和栅极电阻选取提供了理论依据。
最后，本文研究了Si/SiC混合器件的电流配比对Boost变换器CMEMI噪声的影响。在Si/SiC混合器件的容量等级相同的情况下，分析了电流配比与器件成本的关系。仿真分析了CM电压振铃对CMEMI噪声的影响。比较分析了相同容量等级不同电流配比的Si/SiC混合器件在Boost变换器中的应用性能，揭示了Si/SiC混合器件的电流配比与CMEMI噪声的关系，为电流配比的选取提供了理论依据。
首先，本文设计并搭建了基于Si/SiC混合器件的Boost变换器实验平台。设计了一款高可靠驱动电路，提高了混合器件的抗短路能力。设计了Boost变换器的主电路参数，仿真验证了参数设计的有效性。遵循PCB电路板电磁兼容设计规则，提高了Boost变换器的电磁兼容性。比较分析了相同容量等级的SiIGBT、Si/SiC混合器件和SiCMOSFET在Boost变换器中的效率和CMEMI噪声，反映了Si/SiC混合器件的应用优势。
然后，本文研究了Si/SiC混合器件的不同驱动模式和栅极电阻对Boost变换器CMEMI噪声的影响。建立了理想CM电压的频谱模型，并推导出了频谱包络线解析方程。阐述了四种驱动模式的优缺点及其开关过程。理论分析了不同驱动模式和栅极电阻对CM电压的影响。测量并分析了Boost变换器在不同驱动模式和栅极电阻下的CMEMI噪声，为驱动模式设计和栅极电阻选取提供了理论依据。
最后，本文研究了Si/SiC混合器件的电流配比对Boost变换器CMEMI噪声的影响。在Si/SiC混合器件的容量等级相同的情况下，分析了电流配比与器件成本的关系。仿真分析了CM电压振铃对CMEMI噪声的影响。比较分析了相同容量等级不同电流配比的Si/SiC混合器件在Boost变换器中的应用性能，揭示了Si/SiC混合器件的电流配比与CMEMI噪声的关系，为电流配比的选取提供了理论依据。