随着对红外辐射和红外探测器研究的深入,红外探测器广泛应用在测温测辐射、遥感、红外成像、红外制导等方面,在军事、医学、生物、地质等领域都发挥着重要的作用。雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,简称APD)作为一种具有内部增益的光伏型红外探测器,相比于传统PIN型红外探测器具有高增益、响应速度快等优点;因而APD器件在高速成像和光通信等领域有着更好的发展前景。但是雪崩光电二极管工作在较高的反向偏压下,因而暗电流、噪声、击穿等制约器件性能问题在APD器件上更为突出。这也对APD器件的制备工艺提出了更高的要求。本文对In Ga As/In P雪崩光电二极管进行了研究,在器件结构上采用了吸收、渐变、电荷、倍增层分离的结构,这种结构的APD器件被简称为SAGCM APD。本文针对SAGCM进行了器件结构和工艺上的优化,通过光刻、刻蚀、钝化、溅射电极等工艺,最后完成了器件的制备。之后对APD器件进行了I-V特性和黑体探测率的测试。本文的主要工作包括:1.介绍了包括In Ga As/In P雪崩光电二极管在内的红外探测器国内外发展现状和应用前景。简单说明了APD的工作原理以及结构演变,介绍了光电探测器的主要性能参数。2.针对原有的SAGCM结构进行了优化,吸收层、电荷层、倍增层的厚度和掺杂对器件电场分布情况进行了模拟,最终确定了SAGCM-APD的结构参数。3.针对APD器件设计了光刻掩膜版图,对台面、电极的形状进行了优化;另外设计、优化了对版标记,使这套版图可以作为双色器件使用,通过不同版图的组合使用实现双色器件的制备。4.介绍了制备APD器件的工艺流程,说明了光刻、刻蚀、钝化、溅射电极等工艺的条件。对原有工艺进行了优化,进行刻蚀时对比了“干湿干”和纯干法ICP刻蚀的区别,并优化ICP刻蚀条件。分析钝化膜的工艺可行性,确定了工艺条件。5.对APD器件进行I-V测试以及黑体测试,并对结果进行分析。