SiO2/4H-SiC MOS界面特性仿真研究

来源 :西安电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：li_uwx

【摘要】

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技

【作者】

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涂银辉

【出处】

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西安电子科技大学

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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4H-SiC 沟道迁移率 MOS C-V 界面陷阱近界面氧化层陷阱氧化层固定电荷

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技术领域,包括主机、控制电路和计算机三部分组成,主机包括由棱镜。敏感膜敏感芯片、半导 Ue*M#

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