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本工作利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术(HWP-CVD),以CH4、SiH4和H2作为反应气体,在单晶Si和石英衬底上制备了纳米SiC薄膜。通过傅立叶变换红外吸收光谱、喇曼光谱、X射线衍射、紫外-可见透射反射谱和原子力显微镜等技术手段,对薄膜的晶化度、键合组态、氢含量以及薄膜的光学带隙和结构无序性等参量进行了分析和确定。研究了外加磁场和衬底温度等实验参量对薄膜的结构和光学特性的影响。结果表明:外加磁场强度增强,可增加纳米SiC薄膜的沉积速率,使薄膜的晶化度提高,其光学带隙和结构有序性也随之增加