ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料，它具有比GaN更高的激子束缚能，容易实现室温紫外受激发射，在紫光发光(激光)二极管、薄膜晶体管、紫外探测器等领域有广阔的应用前景。目前，国内外许多学者已经在开展以ZnO为有源沟道层的薄膜晶体管的研究工作。这种薄膜晶体管的优点是：制备温度较低，对衬底材料要求不高；而且可以制作成全透明的薄膜晶体管，如果将其应用于有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中，将降低TFT-LCD的工艺复杂性和生产成本，并可以增强器件的可靠性。 本实验中采用脉冲激光沉积(PLD)方法通过优化工艺和生长条件在SiO2/Si和Al2O3衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。制备如此高质量的ZnO薄膜为实现ZnO基光电子器件打下良好基础。同时，根据目前ZnO-TFT的研究现状和本课题组的现有条件，设计了一种结构合理的ZnO-TFT，即先在p型Si(111)衬底上生长SiO2绝缘层，然后用脉冲激光沉积方法在绝缘层上生长ZnO薄膜，最后用真空蒸发镀膜和光刻剥离技术在ZnO上制备源漏电极来形成导电沟道。电学测试发现，该晶体管工作在n沟道增强模式，显示了较好的饱和特性和夹断特性，电流开关比约为103，阈值电压为13.2V，电子的场迁移率达到1.02cm2/VS，此ZnO薄膜晶体管为实现ZnO基晶体管器件的应用提供了一种简单可行的方法。 研究初期，我们试图测试来实现CdSxSe1-x量子点的电致发光，进而制备出CdSxSe1-x量子点光电器件。由于我们的量子点颗粒不够致密，导致不能够制作相应的器件，但对CdSxSe1-x量子点的变温光致发光(PL)特性进行了细致研究。研究发现当温度从10K上升到300K的过程中，变温PL谱中的发光峰位置红移，半高宽变宽，并且在180K-200K范围内PL积分强度出现了反常的增加现象，我们对这一现象进行了定性分析。同时，利用室温下的PL谱线和Varshni公式，也定量给出了Varshni公式中对于CdSxSe1-x量子点的参数：α-(3.5±0.1)104eV/K，β=210±10K。最后，利用Vegard定律、XRD以及室温PL谱的结果，通过计算得出了CdS0.9Se0.1量子点中S:Se的比例。实验中得到的这些结果对于进一步实现CdSxSe1-x量子点在光电方面的应用具有一定的意义。