本文设计了一种去除纳米氧化铝模板背面铝层的装置，从而解决了氧化铝模板制备过程中最难于控制的一步；其次我们设计了简单的适合于在氧化铝模板中电沉积纳米线阵列的电解槽。这些为接下来的模板制备和电沉积过程奠定了基础。 对制备工艺进行了系统的分析。采用电化学沉积技术成功地在氧化铝模板中组装了合金Ni5Zn21、Ag7Te4和Ag2Te的有序纳米线阵列，并用SEM、TEM、SAED、HRTEM以及XPS等手段进行了表征，对共沉积工艺进行了系统的分析。结合溶剂热的优点，首先在氧化铝模板中制备了高质量的金属Zn纳米线阵列，然后在溶剂热条件下制备了S/Zn同轴纳米电缆阵列，用酸或碱将Zn和氧化铝模板除去后得到了纯的S纳米管。 采用电化学沉积技术在氧化铝模板中制备了钨蓝的纳米线阵列，然后在500℃下利用不同的升温速率进行脱水过程，最终分别得到了WO3的纳米棒和纳米管，其进一步的结构表征和光学性质有待进一步实验。