功率半导体器件常用于开关和整流,要求其具有低的导通电阻和短的开关时间。本文进行了浅槽埋层结构的研究,并把该结构应用于整流器和VDMOS器件,分别称为浅槽埋层功率整流器和浅槽埋层功率MOSFET.本文工作如下：1、对浅槽埋层功率整流器的工作原理进行了详细的分析,并对它的正向导通压降相关公式进行了推导。然后,对耐压为100V的浅槽埋层功率整流器进行了设计,经过大量的优化仿真之后,得到如下结果：反向耐压为109.8V、泄漏电流为1×10-11A/μm、正向导通压降仅为0.3V(刚开启时)、反向恢复电荷只有20nC(在正向导通电流为10A条件下)。与同样耐压的常规PN结功率整流器相比,浅槽埋层功率整流器的静态电学特性改善了57.1%,动态电学特性改善了89.6%。根据器件结构优化仿真结果,对浅槽埋层功率整流器进行了工艺方案选取、工艺仿真设计、版图设计、流片测试与分析。流片后得到了以下的器件测试结果:反向耐压为120V、泄漏电流为1.4μA、正向导通压降仅为0.3V(在正向导通电流为500mA时)、反向恢复电荷只有18nC(在正向导通电流为10A条件下)。流片测试部分参数略优于仿真值,这主要得益于流片时对P型埋层注入剂量的调整。2、对浅槽埋层功率MOSFET,也可称为积累型MOSFET进行了研究。首先分析了它的工作原理,主要通过积累型沟道来控制器件的开启与关断,由于沟道为积累型的,因此可以获得较低的导通电阻；然后对耐压为30V的浅槽埋层功率MOSFET进行了优化设计,优化结果表明：在器件耐压大于30V并且击穿特性比较理想的情况下,比导通电阻只有8.25mΩ·mm2(VGS=5V)。