酞菁铜(CuPc)是一种典型的有机光电半导体材料，具有很多优良的特性，比如电致发光、光电导电、光伏效应、耐高温性等，这些特性已经应用于有机电致发光器件、有机太阳能电池和其他光电器件中。这类器件的性能与酞菁铜薄膜的特性紧密相关，而酞菁铜(CuPc)薄膜的特性很大程度上依赖于其制备工艺。因此，研究酞菁铜薄膜的制备工艺条件与其性能的关系尤为必要。　　 本论文采用高真空三室薄膜沉积系统，分别在蓝宝石(Al2O3)和ITO玻璃衬底上，以三种不同的沉积速率（0.1(A)/s、1.0(A)/s、5.0(A)/s），真空蒸镀四种膜厚(10nm、50nm、100 nm、150 nm)的酞菁铜薄膜，并用紫外-可见分光光度计、拉曼光谱仪、恒温加热台等仪器设备表征CuPc薄膜的光学性质和热稳定性，研究结果表明:　　 1.我们制备的酞菁铜薄膜是α-CuPc晶型结构，它在紫外-可见光区有四个吸收带(Q、B、N、L)。最低能量跃迁的Q带，其主吸收对应于吸收光谱中550～750nm区域，次低能量跃迁的B(Soret)带，对应的主吸收波长范围为300～400nm，比B带能量更高的跃迁为N、L带。　　 2.Q、B、N、L四个吸收带均为π-π*跃迁，其中Q、B、N带成键π轨道基本不含Cu的原子轨道，L带成键π轨道包含Cu的dxz（轨道系数为-0.1580）和dyz（轨道系数为0.0022）轨道;Q、B、N、L带反键π*轨道基本不含Cu的原子轨道。　　 3.单晶蓝宝石和多晶ITO玻璃两种衬底对CuPc薄膜的Q和B带吸收影响较小;对N和L带吸收影响较大，在蓝宝石衬底上的CuPc薄膜有两个较强的吸收峰，其峰位分别位于215nm和263 nm处，而在ITO玻璃衬底上的CuPc薄膜只有一个吸收峰，其峰位在200nm附近。　　 4.CuPc薄膜的厚度对光的吸收有影响。随着膜厚增加，薄膜对的光吸收增强。薄膜的生长速率（沉积速率）对CuPc薄膜的光吸收影响较小。CuPc薄膜经240℃左右的温度退火处理后发生相变，由最初亚稳定态的α-CuPc晶型转变为稳定态的β-CuPc晶型结构。