随着科学技术的发展,手机、ipad等电子产品的功能越来越多,对flash芯片的存储量以及质量的要求越来越高。Flash存储器具有制造成本低、改写速度快、存储容量大等优点,被广泛的运用在数据存储的领域。控制器实现对存储器的读取和写入等功能,在当前集成电路中,对减小电路面积、降低系统成本和提高可靠性等都具有重要意义。而FPGA验证就是在真实的物理环境中进行验证,可以提前在流片前发现并解决问题。首先,本文讨论了NAND Flash的内部结构特点。介绍了NAND Flash内部的单元结构,以及市场上的NAND Flash的存储方式。并阐述了存储器的读取以及擦除操作方式。其次,本文还说明了不同操作的基本操作时序。分析了各个操作的时序要求,以及同步和异步的区别。最后,为解决NAND闪存控制器的构架设计和硬件测试问题,本文提出了一种NAND闪存控制器的设计方案,并搭建了基于上位机控制的高效硬件测试平台。该构架基于ZYNQ软核,可支持asynchronous和DDR2模式,通过GPIO总线将来自上位机的操作命令和数据传输给控制器,然后控制器产生控制信号给芯片;该测试平台基于ONFI 3.2协议,利用LDO实现Vcc和Vccq的电压开启要求,达到Flash芯片开启条件。在充分仿真验证控制器时序、功能的基础上,利用搭建的硬件测试平台进行板级验证。最终结果表明,本设计能够满足NAND闪存驱动控制要求。