以薄膜晶体管液晶显示（TFT-LCD）为主流的平板显示器件的迅速发展，进一步推动了对TFT的研究热潮。在TFT中，多晶硅（p-Si）材料比非晶硅（a-Si）材料具有更高的迁移率和能实现周边驱动电路一体化的优点，众多的研究学者展开了获得多晶硅薄膜材料的研究，尤其大量地研究了能应用廉价玻璃为衬底的低温多晶硅制备方法。 本论文主要展开了应用准分子激光晶化多晶硅的研究。因为多晶硅和非晶硅及晶体硅相比具有更独特的特点，所以我们先阐述了多晶硅薄膜的电学特点，对多晶硅的导电机理有了深刻的了解；然后研究了激光频率、受光次数和激光功率密度三个参数对晶化多晶硅的影响。实验在优化频率为5Hz，受光次数10次／秒时，重点研究了激光能量密度由小到大对晶化性能的影响。实验发现在能量密度为300mJ／cm²时晶化性能较好，即晶化度最高，晶粒最大且均匀，薄膜应力最小。 在金属诱导法制备多晶硅和激光晶化法制备多晶硅的基础上，我们提出了一种新的多晶硅晶化法—金属诱导下激光晶化法。它利用NiSi₂小晶核和晶体硅晶格匹配的特点，在激光辐射下，也能生长为多晶硅。经XRD表征，此方法比同条件下激光晶化法和金属诱导法制备的多晶硅具有更高的晶化度，而且利用此方法在适当的条件下还能生长出具有优选晶向的多晶硅。这种晶向一致的多晶硅能提高刻蚀的均匀性和提高迁移率。但此方法中存在的缺点是制备多晶硅中有镍参与，它的存在又会降低多晶硅的电学性能。对此方法的晶化机理和对镍的含量及去除表面层的镍化合物后迁移率的大小测试分析将在下一步工作中展开。 为了实验的正常进行，对实验室的部分旧设备进行了改造，并参与了新加工设备的调试。对用激光晶化法制备的多晶硅薄膜所制备的p-Si-TFT单管进行了Ⅰ-Ⅴ测试，计算电子迁移率为约30cm²／V．s。制作的TFT阵列驱动了OLED显示。