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随着微电子集成电路产品不断向高性能和高密度方向发展,二氧化铪基薄膜以其较高的介电常数、较大的禁带宽度、良好的热稳定性和化学稳定性、与标准半导体工艺兼容等特性,已被广泛应用于微处理器和动态随机存储器(DRAM)的大规模工业化生产。近几年的研究发现二氧化铪基薄膜具备新颖的铁电性,有望取代传统的钙钛矿型铁电薄膜,突破制约铁电存储器的发展瓶颈,将在非易失性铁电存储器等集成铁电器件领域拥有广阔的应用前景。本论文采用独特的溶胶-凝胶法制备Y:HfO_2薄膜,主要研究了Y掺杂浓度、薄膜厚度和退火温度对Y:HfO_