【摘 要】
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该论文的工作主要是采用Cu掺杂替代CeNiSn中的Ni元素的方法,测量其在低温下的比热电阻和光电导等物理量的变化,从而证实随着Cu掺入量的增加,Kondo半导体CeNiSn原有的能隙逐渐
【出 处】
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中国科学院低温技术实验中心 中国科学院理化技术研究所
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该论文的工作主要是采用Cu掺杂替代CeNiSn中的Ni元素的方法,测量其在低温下的比热电阻和光电导等物理量的变化,从而证实随着Cu掺入量的增加,Kondo半导体CeNiSn原有的能隙逐渐减小,在掺杂量达到0.1时能障最终完全被抑制.在对CeNi<,0.96>Cu<,0.04>Sn更低温度下比热(0.1K-25K)和电阻(0.1K-8K)的测量中,我们首次发现了由于相变临界点的存在而引起的非费米液体行为.为了将本实验室原有的绝热法比热测量乞讨进到双斜率法,作者在此期间设计制作出一种小型方便可更换样品的恒温器,使测量温区可以从液氦温度扩展到室温以上.同时编制出相当完善的双斜率比热测量和数据处理程序,探索不同的实验条件对测量精度的影响,对背底热容测得的结果与绝热法测得的相当吻合.
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