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MEMS(微机电系统)是 21 世纪科技与产业的热点之一, 而微细加工技术又是MEMS 发展的重要基础。LIGA(X 射线深层光刻、电铸成型和微复制)和 UV-LIGA 技术是 MEMS 微细加工中两种十分重要的技术。在微机械领域常需要用到具有一定厚度和高深宽比的微结构,LIGA 与 UV-LIGA 技术是制作这种微结构的重要手段。UV-LIGA技术的工艺过程与 LIGA 技术基本相同,只是不需要用同步辐射 X 线源,而用常规的紫外光作为曝光光源,因此 UV-LIGA 技术要比 LIGA 技术在工艺成本上便宜很多,较之更容易推广。 SU-8 系列光刻胶是 UV-LIGA 工艺常用的光刻胶,它是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶,适于制作超厚、高深宽比的 MEMS 微结构。SU-8 胶在近紫外光范围内光吸收度低, 故整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致, 可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形。由于它具有较多优点, 因此逐渐应用于 MEMS 的多个研究领域。 本文研究了基于 SU-8 胶的 UV-LIGA 的光刻工艺流程,讨论了各个步骤的工艺参数对光刻结果的影响。分析了 SU-8 胶在近紫外 280-350nm 和 350-400nm 波段下的透射曲线,计算得到不同波段紫外光在 SU-8 胶中的穿透深度,并通过 SEM 图片分析了不同穿透深度对 SU-8 胶图形的影响,进而得出适合 SU-8 胶均匀曝光的紫外波段。然后通过对同一厚度光刻胶采取不同曝光剂量的方法,结合 SEM 照片的比较,得到适合该厚度的曝光剂量。利用这种对比的实验方法,可得到不同厚度 SU-8 胶所对应的曝光剂量。最后,利用设计的掩模板以及前面研究的工艺结果,我们成功制作出了几种不同胶厚的SU-8 微结构图形,SEM 照片显示图形质量较好,侧壁陡直,图形线宽与掩模板的设计基本一致,图形最大高度可达 400μm,最大深宽比可达 15。