太阳能是取之不竭的清洁能源，如何将太阳能转化为可使用的能源，用于解决人类的能源危机，提高太阳能电池效率成为了关键技术。当今晶体硅太阳能电池使用较多，但是由于成本的增加和转化效率的低下，造成了电池的市场竞争力不强。薄膜电池能很好的解决这些问题，但是由于存在光致衰退效应，也使太阳能电池无法广泛应用。异质结太阳能电池结构好，兼顾两种电池的优势。微晶硅材料具有连续可调的带隙，具有较宽的光谱响应范围，所以微晶硅材料非常适合异质结太阳能电池。所以很有必要通过数值模拟研究微晶硅材料在异质结太阳能电池中的应用。本文选用异质结模拟软件(AFORS-HET)，模拟了在不同工作温度中，uc-si背场对太阳能电池的影响。结果显示：随着电池背表面场带隙的增加，开路电压和转换效率不同程度的增加；利用背场掺杂浓度的增加，电池的开路电压、填充因子及转化效率都在不断提高；在背场厚度的增长情况下，电池机能下降。在温度上升情况下，背场相应的浓度掺杂值及材料厚度变化很小；然而在电池工作温度上升的情况下，微晶硅背场相应的带隙值有很显著的右移趋向。利用相同软件模拟了在不同工作温度中，uc-si窗口层对电池机能的影响。结果显示：在微晶硅窗口层帯隙增长的情况下，转化效率先增加后下降、开路电压不断增加；随着掺杂浓度的增加，电池性能整体呈现先上升后小幅下降的趋势；厚度的增加，电池的性能整体上呈现下降的趋势。在电池工作温度提高的情况下，微晶硅窗口层相应的厚度及掺杂浓度值都有显著的左移趋向；但其对应的最佳帯隙有明显的增加趋势。