本文研究了新的低膨胀导电氧化物陶瓷系统，涉及ZrO₂（TiO₂）-Ta₂O₅、Sb₂O₃（Ta₂O₅，Cr₂O₃）-SnO₂、R₂O₃-TiO₂-Cr₂O₃系统。用烧结法制备出多种类型的低膨胀导电陶瓷。采用绝缘电阻仪、热膨胀仪（TD）、X-射线衍射分析仪（XRD）、电子显微镜（SEM）等仪器对导电陶瓷的电导性、热膨胀性和晶体结构进行了研究；讨论了导电陶瓷的低膨胀机理和电导率与组成、结构的依存关系。结果表明：1、在Ta₂O₅基导电陶瓷材料中，二元ZrO₂-Ta₂O₅陶瓷表现出在较大组成范围有低热膨胀性。在X（掺杂金属原子摩尔百分比）等于13～66.6％的范围，陶瓷的热膨胀系数为0.82～6.22×10^-6K^-1，热膨胀系数随掺杂金属原子百分比X的增加而增大；在X小于13％的范围，表现出负膨胀：在X=2.0～10％之间，热膨胀系数为-3.231×10^-6K^-1～-4.730×10^-7K^-1。Ga₂O₃-Ta₂O₅陶瓷在低掺杂量时出现负膨胀，在X=4～10％时，热膨胀系数为-1.43×10^-7K^-1～-2.41×10^-6K^-1。二元TiO₂-Ta₂O₅陶瓷在X=2～20％的范围，膨胀系数都小于2.5×10^-6K^-1，随着TiO₂的掺杂百分比的增加，先增加后降低，趋于1.5×10^-6K^-1。ZrO₂-Ta₂O₅陶瓷的电导率在低组分比的时候，随着ZyO₂组分的增加，820℃的电导率逐渐升高，当X=16％时，电导率达到最大值0.385×10^-3S／cm。当X≥16％时，随着掺杂比例的增加电导率逐渐降低，对应高于200～820℃的电导活化能为0.90eV。TiO₂-Ta₂O₅陶瓷随着TiO₂的百分比的增加，820℃的电导率先升高后降低，在X=2.0～20％的范围，电导率0.261～2.422×10^-3S／cm，当X=4.2％时达到最大值，对应高于200～820℃的电导活化能为0.77eV。2、在SnO₂基导电陶瓷材料中，Sb₂O₃-SnO₂系统陶瓷在X=0.5～3％，820℃的电导率为0.25～3.013×10^-3S／cm，当X=1.70％，电导率有最大值3.013×10^-3S／cm，对应于30～400℃的电导活化能为0.04eV，400～800℃的电导活化能为0.22eV：其膨胀系数在4.0～4.7×10^-6K^-1之间。Ta₂O₅-SnO₂系统陶瓷在X=0.5～3％，820℃的电导率为0.44～9.42×10^-3S／cm，当X=1.6％，电导率有最大值9.42×10^-3S／cm；其膨胀系数在2.81～4.42×10^-6K^-1之间。Cr₂O₃-SnO₂系统电导率随X先升高后降低，在X=15～83％的范围，820℃的电导率为0.22～3.37×10^-3S／cm，当X=55.6％时，有最高值3.37×10^-3S/cm，随着Cr₂O₃量的增多电导率又呈下降趋势，其电导活化能为0.99eV；其膨胀系数在4.5～6.7×10^-6K^-1范围。3、TiO₂-Cr₂O₃系统陶瓷的电导率很高，在X=5～95％的范围，820℃的电导率为1.1～62.7×10^-3S／cm，当X=29.41％时，有最高值62.7×10^-3S／cm；其膨胀系数在5.8～8.5×10^-6K^-1范围；4、多组分系统导电陶瓷R₂O₃-TiO₂-Cr₂O₃系统中以Al₂O₃、Y₂O₃、La₂O₃替代TiO₂，替代量为20％，40％，60％和80％时，820℃的电导率为0.29～4.75×10^-3S／cm，膨胀系数为5.78～7.35×10^-6K^-1。Ta₂O₅-Sb₂O₃-SnO₂系统陶瓷以Ta₂O₅和Sb₂O₃同比例掺杂SnO₂，掺杂量为0.5～2.5％，820℃的电导率为0.34～1.78×10^-4S／cm，膨胀系数为4.17～4.75×10^-6K^-1。Sb₂O₃／CuO-Cr₂O₃-SnO₂系统陶瓷中，不同比例组成陶瓷820℃的电导率为0.06～4.17×10^-3S／cm；膨胀系数为3.74～6.29×10^-6K^-1。