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纳米材料研究是目前材料科学研究的一个热点，它从根本上改变了材料的结构，为克服材料科学研究领域中长期未能解决的问题开辟了新途径。SnO2是一种被广泛应用于光电子、微电子领域的重要功能材料，可以被应用于太阳能电池、透明导电电极、气敏传感器、晶体管等领域中。近年来，随着SnO2纳米结构如零维的纳米颗粒、一维的纳米线、纳米管、纳米带、纳米棒；二维的纳米薄膜等结构的相继问世。各国科学家对其结构及应用相继展开了一系列的研究工作，并在短时间内，取得了丰硕的研究成果。尽管如此，我们在一维SnO2纳米材料的合成、结构及应用研究方面仍面临众多挑战。本文主要通过热蒸发的方法获得了SnO2纳米材料，在其他条件不变的情况下，通过单一改变反应源，退火时间，退火温度，探索了在不同条件下纳米材料的生长过程，获得了不同形貌的纳米材料，并用SEM，XRD，EDS，红外吸收和拉曼光谱对产物的形貌和结构进行了分析。结果表明,不管是“钉状”纳米材料还是纳米颗粒，所合成的产物均为具有四方金红石结构的SnO2。最后讨论了SnO2纳米材料的生长机制，符合VLS生长机制。本论文主要包含以下几个方面的内容：（1）以SnO粉末为源，用热蒸发的方法，退火温度分别为850℃和900℃，改变退火时间，观察纳米材料的生长。我们发现，在850℃时，不管退火时间的长短都不会生长出纳米材料，而在900℃时，随着退火时间的延长，有了“钉状”纳米材料的产生。我们探索了SnO2纳米材料的生长过程，得出每种纳米材料的生长都有一最低退火温度，且SnO2纳米材料的获得过分依赖于温度和时间。（2）以SnO粉末为源，退火温度分别为950℃和1000℃时，在溅有金的硅衬底上通过热蒸发的方法获得了SnO2纳米颗粒，改变退火时间纳米颗粒会发生团簇现象。经SEM，XRD，EDS，红外吸收和拉曼光谱测试，所得白色絮状物为纯净SnO2。我们得出结论，并不是说退火温度越高，退火时间越长所得纳米材料越好，而是任何温度下都有一个最优退火时间。我们还研究了纳米颗粒的生长机制，符合VLS机制。（3）以SnO粉末和Sn粉末的混合物为源，退火温度为900℃时在溅有金的硅衬底上通过热蒸发的方法制得了纳米线，经SEM，XRD，EDS，红外吸收和拉曼光谱测试，得到产物为纯净的具有四方金红石结构的SnO2纳米线，且SnO2纳米线的生长机制符合VLS生长机制。（4）以SnO粉末和Sn粉末的混合物为源，退火温度为1000℃时在溅有金的硅衬底上通过热蒸发的方法制得了纳米颗粒，改变退火时间，有不同程度的团簇现象。（5）总结全部实验，试解释了得到不同纳米材料的原因。