KDP晶体是一种综合性能比较优良的非线性光学材料,被广泛地应用于激光变频、电光调制和光快速开关等高科技领域,是人工激光变频系统的首选材料。随着KDP晶体的推广使用,对KDP晶体的质量要求日趋增高。 KDP晶体在生长过程中往往不可避免会出现生长条纹、位错、散射颗粒等晶体生长缺陷,这在很大程度上限制了KDP晶体的应用。于是KDP晶体中的生长缺陷研究成为KDP晶体研究的重点之一。由于KDP晶体中各类缺陷的成因比较复杂,因此对它们的形成机理研究对改善KDP晶体的质量有着很大的意义。通过对KDP晶体中的位错、散射颗粒等缺陷进行检测并对位错、散射颗粒等缺陷的形成机理进行探讨来改变晶体的生长条件以有效减少KDP晶体中的位错、散射颗粒等缺陷。在以上的思路下,本论文主要采用点状籽晶法进行了KDP晶体生长实验,在不同pH条件下得到质量不同的KDP晶体,观察到通过改变生长条件可以控制KDP晶体的生长形貌,pH值较低时晶体柱面无明显扩展,pH值在5左右时柱面有明显扩展。对KDP晶体中按位错线走向分类的位错类型进行了光学显微检测,将点状籽晶生长条件下的位错类型与文献中片状籽晶生长条件下的位错类型进行了对比,证实了用点状籽晶生长KDP晶体比文献中用片籽晶生长KDP晶体能有效地减少KDP晶体中不同角度的位错。利用光学显微镜和吊瓶设计了观察KDP晶体在螺型位错生长机制下的生长台阶运动,对螺型位错生长机制进行了实验说明,验证了低过饱和度下KDP晶体的生长机制。并利用超显微方法对不同生长条件下得到的KDP晶体中的散射颗粒进行了观测,证实了pH值及降温速度与晶体中散射颗粒多少的关系。最后对用点籽晶法得到的KDP晶体中的位错与散射颗粒间的关系进行了分析,并通过超显微观测对这种对应关系予以了证实。