【摘 要】
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稀磁半导体（DMS）因兼具半导体和磁性的特点，即在同一种材料中同时应用电子自旋和电子电荷两种自由度，而受到广泛关注。同时，其作为自旋电子学器件的后备材料，迅速成为研究的热点。目前，DMS尚处于研究阶段，存在的问题主要集中在磁性来源和磁性调节机制两个方面。如果能解决这些问题，必将给未来电子信息技术的发展带来巨大影响。本论文采用射频磁控溅射法分别制备了不同浓度Mn、Co掺杂In_2O_3基稀磁半导体薄
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稀磁半导体（DMS）因兼具半导体和磁性的特点，即在同一种材料中同时应用电子自旋和电子电荷两种自由度，而受到广泛关注。同时，其作为自旋电子学器件的后备材料，迅速成为研究的热点。目前，DMS尚处于研究阶段，存在的问题主要集中在磁性来源和磁性调节机制两个方面。如果能解决这些问题，必将给未来电子信息技术的发展带来巨大影响。本论文采用射频磁控溅射法分别制备了不同浓度Mn、Co掺杂In_2O_3基稀磁半导体薄膜，以及不同浓度Cr掺杂或Cr、Mn共掺杂SiC基稀磁半导体薄膜。并利用XRD、SEM、XPS、
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