自旋电子学（Spintronics）领域探索了电子的自旋和电荷间强的耦合作用,是凝聚态物理学的重要分支。研究自旋流的产生、操控和检测是该领域的关键。早在1881年,霍尔就在磁性金属材料中发现了来源于电流和磁矩间自旋轨道耦合作用的反常霍尔效应。随后,人们发现了,在非磁材料与铁磁或者反铁磁材料接触的界面处,由于界面电子发生交换相互作用而使非磁材料界面处的电子产生自旋极化的磁近邻效应。进而将反常霍尔效应运用到了铁磁/非磁双层膜等的实验研究中。借鉴于反常霍尔效应的概念,在具有强的自旋轨道耦合的材料中,自旋霍尔效应（Spin Hall effect,SHE）及其逆效应（逆自旋霍尔效应）被发现并被广泛作为自旋流的发生器和检测器。基于自旋霍尔效应和界面自旋散射,自旋霍尔磁电阻的概念被提出,并且认为铁磁/非磁双层膜结构中的磁阻是由于自旋霍尔效应和逆自旋霍尔效应的协同作用产生的,而非界面处的磁近邻效应引起的,并且通过在双层膜间插入另一个非磁层时依然存在这种影响来反驳了近邻效应的说法。由此,铁磁/非磁材料界面处的自旋霍尔效应和磁近邻效应一直是研究的热点。重金属铂（Pt）具有较强的自旋轨道耦合能力,可以将自旋流转换为电荷流,反之亦然。在铁磁/非磁材料FM/Pt双层膜结构中,铂层可以用来探测自旋流或驱动磁矩进动甚至翻转。沉积在厚的铁磁金属上的Pt薄膜,其导电性能和磁性会被铁磁金属的性能所掩盖。相较于铁磁金属,铁磁绝缘体中没有电荷的移动,沉积在绝缘体上的Pt薄膜的导电性可通过输运测量获得,并且可以通过铁磁绝缘体的磁输运特性来研究此Pt薄膜的磁特性。铁磁绝缘体钇铁石榴石（Y3Fe5O12,YIG）常被用来制备FM/Pt双层膜,它具有阻尼小,铁磁性弱并且磁各向异性可忽略不计等特点。因此,在过去的十年中,YIG/Pt双层膜结构一直受到广泛关注。除了基于自旋轨道耦合的自旋霍尔效应之外,铁磁材料（FM）上的Pt薄膜还由于磁近邻效应而显示出铁磁特性,存在反常霍尔效应。这两种效应都涉及界面处的自旋流的扩散过程,在FM/Pt界面上自旋流传输过程中究竟存在自旋霍尔效应还是磁近邻效应一直存在争议。本论文中,我们制备了一系列具有不同Pt厚度的YIG/Pt双层膜样品,并且通过实验测量了由自旋霍尔效应和界面自旋散射引起的自旋霍尔磁电阻（SMR）,以及由界面近邻效应引起的反常霍尔电阻（AHR）。我们证明了 YIG/Pt双层膜中同时存在自旋霍尔效应和磁近邻效应。通过比较在参考样品SiO2/Pt双层膜中测得的结果,我们系统地分析了这两种效应对自旋扩散的不同影响,这对于设计自旋电子学器件起着重要的作用。