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半导体量子点（QDs）具有宽的发光范围（从紫外到远红外）、发光峰窄且发光稳定、荧光量子产率（QY）高、可在同一激发光下实现多颜色量子点激发等出色的光学性质，使其在量子点发光二极管、生物标记、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。传统的二元量子点只能通过调节尺寸来调节光学性质，很难获得量子产率高、稳定性好的蓝绿色荧光，这是因为当量子点尺寸很小（小于2nm）时，难以通过外延生长无机壳层材料来钝化其表面。然而，基于量子点的蓝绿色发光二极管是开发下一代显示器和白色固态发光器件的必要元素。因此，如何成功制备出高亮度、高稳定性的蓝绿色发光量子点具有十分重要的意义。合金量子点不仅可以通过尺寸调节，还可以通过改变其组分来获得所需要的发光，可以很好地实现蓝绿色发光。（1）核壳结构量子点的光学性质可以通过改变核的发光波长、量子产率、激子寿命等调节其光学性质，并通过外延生长的壳层材料隔绝了高活性核与外界环境的接触，使得核壳量子点具有低的环境敏感性和高的抗光漂白性；而且壳层材料有效地钝化了核量子点的表面，极大地提高了荧光量子产率。但是目前大量的量子点合成都采用了有毒、昂贵、易燃易爆的含膦化合物（三辛基膦TOP/三丁基膦TBP），极大地限制了其商业化应用。因此如何实现无TOP/TBP参与的蓝绿色稳定发光量子点制备成为一个迫切需要解决的问题。本论文基于上述问题为出发点，采用无膦法合成了蓝绿色合金量子点，并外延生长壳层材料来获得高质量的、蓝绿色发光的核壳结构量子点，主要研究内容如下：采用无膦法，制备了高质量的CdSSe量子点，通过调控其组分，实现了量子点蓝绿色区间发光。为了实现高荧光量子产率、高稳定性的核壳量子点，减少CdSSe核量子点和ZnS的晶格失配度，我们在二者中间引入CdS/ZnCdS作为缓冲层。这种结构可以有效地将CdSSe核材料的晶格常数过渡到ZnS壳层材料，减少了壳层生长过程中引起的晶格缺陷，从而获得了高质量的、蓝绿色发光的CdSSe/CdS/ZnCdS/ZnS核壳量子点，其荧光量子产率可达50-70%。通过配体交换，验证了其光学稳定性，说明这种结构可以成功的获得高亮度、高稳定性的核壳量子点。（2）采用无膦法，制备了高质量的ZnCdSSe量子点，通过调控其组份，我们获得了荧光范围在450-550nm的发光，由于ZnCdSSe核量子点与ZnS的晶格失配度小，我们直接在所制备的ZnCdSSe量子点外延生长了ZnS壳层材料，这种方法不仅简化了实验操作，同时极大地提高了荧光量子产率，在450-550nm波长范围内可以达到50-75%。随后利用所制备的蓝绿色发光核壳量子点制作了QD-LED器件，并测试了其电致发光性能。其蓝色QD-LED的最高亮度可达到4700cd/m~2，该亮度值为目前报道的基于蓝色发光量子点的LED的最高值。