高Q值RF-MEMS平面电感的研究

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射频微电子机械系统(RF-MEMS)技术在射频(RF)通信领域的应用正在得到广泛的重视。作为射频电路的重要元件,高Q值电感已经成为RF-MEMS器件研究中的热点。本论文对在不同硅衬底上获得高Q值电感进行了深入的研究;提出了一种在低阻硅衬底上形成氧化多孔硅厚膜来隔离硅衬底损耗的硅基平面电感结构;最后分别在氧化多孔硅厚膜隔离的低阻硅衬底和高阻硅衬底上制作出了高Q值Cu电感。论文首先对RF-MEMS平面电感的物理模型进行了研究,给出了电感Q值和L值的计算方法,从模型出发分析了电感尺寸和
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