本文以半胱氨酸自组装膜为模板，诱导赖氨酸盐酸盐和谷氨酸等晶体生长。采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等表征方法，研究了在不同的生长条件下，膜对部分氨基酸及其盐酸盐的晶体成核生长、晶面取向、晶体形貌、晶型等的调控作用。晶体一般优先在自组装单层界面成核和生长，然而实验发现，赖氨酸盐酸盐优先在水溶液内而不是在自组装膜表面成核生长为晶体。自组装单层对晶体的成核有抑制作用是比较罕见的。对自组装单层上的成核机理进行了探讨，两种氨基酸正电荷间的排斥作用可能是自组装膜抑制赖氨酸盐酸盐成核的原因。在长时间的诱导沉积作用下，自组装膜上亦可诱导赖氨酸盐酸盐晶体成核生长，且膜对晶体生长取向有一定的调控作用。同时利用降温法与乙醇溶剂法控制膜上赖氨酸盐酸盐晶体生长取向。XRD结果表明降温速率和乙醇溶剂作用均能影响晶体生长的取向。为促进赖氨酸盐酸盐在膜上的生长，并调控晶体的形貌，在溶液体系中加入了等摩尔硼酸。XRD结果表明硼酸晶体优先生长在自组装单层上。而析出后的硼酸晶体又促进了赖氨酸盐酸盐的结晶析出。SEM表征发现，加入硼酸后赖氨酸盐酸盐晶体的形貌发生了很大变化，由原来的块状变为针状。实验结果证明，通过加入硼酸，可以加速赖氨酸盐酸盐晶体在膜上的生长，并可以调控晶体的形貌。谷氨酸晶体具有和-谷氨酸两种晶型，是氨基酸中具有多种晶型晶体的典型代表。谷氨酸晶体在L-半胱氨酸自组装单层上优先成核和生长。本文采用了降温法、五氧化二磷吸水剂法、减压蒸发法、乙醇溶剂法、二甲基甲酰胺（DMF）溶剂法等，改变溶液达到过饱和的方式，从而调控不同晶型的谷氨酸晶体在膜上的成核生长。这为控制谷氨酸晶体的晶型提供了较为简单而系统的方法。在这些方法中，关键是要把握晶体成核生长的速率。往往速率越快，得到α-谷氨酸的几率越大。