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本文分别从应力作用、电化学方式处理、直流焦耳热与梯度退火、液态介质焦耳退火、直流与抛光复合式退火处理对微丝进行磁畴结构调制,并系统研究了磁畴结构与巨磁阻抗(GMI)效应对应关系,由此探讨两者的相关性。拉伸应力可有效的改善微丝周向畴结构,使周向各向异性场变大。拉伸应力203.7MPa时,阻抗达到最大比值[?Z/Z]max(%)=223.6%,相对制备态时提高了22.7%;扭转应力产生扭矩,感生螺旋各向异性,其周向分量有助于周向各项异性场、畴结构的改善与周向磁导率的提高,有助于GMI的改善;频率在f=15MHz、扭转应变?=20.4(2?rad/m)时,[?Z/Z%]max(%)达到最大值194.4%;磁畴变为“Z字型”弯曲畴;平均畴尺寸1.1?m。电镀能改变微丝表面磁各向异性,从而对GMI性能产生影响。等间距环向电镀Ni(镀层宽度2mm)3节后?Z/Zmax(%)=251.1%,比制备态高出40.4%;电镀后,微丝未镀区域周向畴的畴壁更清晰,平均畴尺寸0.73?m;Ni镀层厚度约3?m,迷宫状畴与整体畴取向周向分布;螺旋微电镀Ni时,当螺旋间距为50~200?m,?Z/Zmax(%)比值相对制备态有所提高;Ni层畴呈迷宫状畴分布,畴壁不清晰;微丝表面周向畴分布明显,平均畴尺寸为0.83?m。采用阶梯式焦耳热退火处理后,阻抗制备态比值?Z/Zmax(%)=469.6%;在阶梯式80m A退火后,交流频率f=7.4MHz,获得了更高的GMI比值:?Z/Zmax(%)=654.1%(H>0Oe);?Z/Zmax(%)=650.2%(H<0Oe)。100m A阶梯式焦耳退火后的?Z/Zmax(%)比值仍然很高,达到了631.9%(H>0Oe)与624.6%(H<0Oe),具有较大的响应量程-1.5~0Oe/0~1.5Oe;对应的场响应灵敏度分别为:?=401.0%/Oe与?=397.5%/Oe。退火后,畴结构得到改善,100m A阶梯式电流退火后磁畴平滑且周向畴分布增多,交错畴出现,平均畴宽度增至0.98?m。由于GMI性能源于微丝的趋肤效应,通过在液氮中焦耳热退火,加大退火电流到300m A电流幅值后,实现了微丝“芯部”晶化,而表面“壳层”仍为非晶态的“芯—壳”微结构。这种结构源于液氮低温作用避免微丝壳层晶化,此时壳层厚度约为100nm。在频率为8.1MHz时,GMI比值达到425%;外场在2.5~6.5Oe区间,响应灵敏度达到99.4%/Oe;200m A电流幅值退火后,频率在4~12MHz之间,GMI曲线呈现出0~6Oe的单调递增响应与10~80Oe的严格线性响应;后者较大的线性响应特性,可用于检测生物磁传感器与探测理疗产品的漏磁场;由此也验证了微丝GMI性能取决于表面性能。当采用300m A电流幅值退火后,由MFM获得表面为周向与迷宫状组成的复合畴结构,周向畴明显改善,有序度提高,清晰的周向畴平均宽度为0.76?m。分析了Co基非晶微丝磁畴结构的形成机理,并探明了熔体抽拉Co-Fe基非晶微丝的磁畴结构,提出了熔体抽拉Co-Fe基非晶微丝具有高的GMI比值与响应灵敏度的磁畴结构的三个特征:(a)单一周向畴,畴反向交替,规则分布;无杂散畴与“毛刺”现象;(b)周向畴界清晰且圆整,畴宽度均匀,尺寸约为1?m;(c)畴壁为180°Bloch壁,畴壁清晰,周向完整,畴壁平均宽度约10nm;无畴壁钉扎现象。