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GeSi/Si异质结红外探测器及垂直入射AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器的研究
GeSi/Si异质结红外探测器及垂直入射AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器的研究
来源 :中国科学院物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:guosuzhou
【摘 要】
:
该文以提高性能、探求新的物理机制为目的,对P-GeSi/Si异质结红外探测器和N-AlGa/GaAs多量子阱红外探测器进行了一些研究.
【作 者】
:
罗广礼
【机 构】
:
中国科学院物理研究所
【出 处】
:
中国科学院物理研究所
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
异质结
量子阱
红外探测器
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该文以提高性能、探求新的物理机制为目的,对P<+>-Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质结红外探测器和N-Al<,x>Ga<,1-x>/GaAs多量子阱红外探测器进行了一些研究.
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