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该文以提高性能、探求新的物理机制为目的,对P<+>-Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质结红外探测器和N-Al<,x>Ga<,1-x>/GaAs多量子阱红外探测器进行了一些研究.
GeSi/Si异质结红外探测器及垂直入射AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器的研究
【摘 要】
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该文以提高性能、探求新的物理机制为目的,对P-GeSi/Si异质结红外探测器和N-AlGa/GaAs多量子阱红外探测器进行了一些研究.
【机 构】
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中国科学院物理研究所
【出 处】
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中国科学院物理研究所
【发表日期】
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1997年期
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