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研究目的：脑缺血通过损伤GABA能抑制性神经元导致兴奋性神经毒。本实验拟研究脑缺血诱导小鼠大脑皮层GABA能神经元损伤的机理，明确细胞内钙升高和酸中毒在GABA能神经元功能损伤中的作用。 研究方法：取生后17-21天的FVB-Tg（Gad GFP)4570Swn/J小鼠行异氟烷麻醉，迅速将大脑分离，做冠状切片(400μm)。将脑片放置于充分氧合的人工脑脊液(oxygenated artificial cerebrospinal fluid, ASCF)，在25?C下孵育1-2小时后转移至灌流槽，然后在31?C下以2ml/min的速度对脑片进行灌流。采用IR-DIC显微镜(Nikon E600FN)选择大脑皮层GABA能神经元，运用Axoclamp-2B放大器全细胞记录模式记录大脑皮层 GABA能神经元动作电位的阈电位(threshold potentials, Vts-Vr)和绝对不应期（absolute refractory periods,ARP），电信号输入pClamp9.2软件获取和分析群集发放的动作电位间距(inter-spike interval, ISI)和动作电位峰时程标准差(standard deviation of spike timing, SDST)。将脑片的灌流速度由2ml/min减慢至0.2ml/min，模拟缺血，观察在此过程中大脑皮层 GABA能神经元内在特性的变化；通过记录电极分别向细胞内微量灌流Adenophostin-A诱导胞内钙升高或酸性电极溶液(pH6.0-6.5)诱导细胞酸中毒，观察钙离子浓度的增加和细胞内酸中毒对大脑皮层GABA能神经元内在特性的影响，探讨细胞内高钙和酸中毒在缺血性神经细胞损伤中的作用。 实验结果：与正常对照组相比，脑缺血使得大脑皮层GABA能神经元产生群集动作电位容量和精确性降低(P<0.05)，这些改变与脑缺血诱导动作电位不应期延长(P<0.01)和阈电位升高(P<0.05)有关。细胞内钙升高和酸中毒分别导致大脑皮层GABA能神经元动作电位的发放容量降低(P<0.05)、不应期延长(P<0.05)和阈电位升高(P<0.01)，随后的脑缺血进一步延长动作电位的不应期(P<0.05)和降低群集动作电位的发放容量(P<0.05)，提示胞内钙升高和酸中毒是脑缺血诱导GABA神经元损伤的机理。 结论：脑缺血通过诱导胞内钙升高和酸中毒导致大脑皮层GABA能神经元损伤，转而导致兴奋性神经毒的脑细胞死亡。