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随着当今信息科技的发展以及智能产品更新换代的加速，市场对其中起到中流砥柱作用的存储器有着更高的要求：更高的数据读、写速度，更好的微缩性能，更长的数据保持性能，更好的循环测试性能。目前市场主流的非易失性半导体存储器Flash存储器却遭遇了尺寸缩小的瓶颈。因此新型非易失性存储器的研究受到广泛的关注与研究。电致阻变存储器（RRAM）具有结构简单、数据读/写速度快、循环测试性能优异、低功耗、长保持与CMOS工艺兼容等优势成为下一代存储器的有力竞争者。 本文采用溶胶-凝胶法制备阻变层薄膜，真空蒸镀法制备电极，制备了Ag/MZO/p+-Si、Ag/LZMO/p+-Si、Ag/MZO/LZMO/p+-Si及Ag/LZMO/MZO/p+-Si等结构阻变器件。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、吉利时2400源表对薄膜结构、微观形貌及I-V特性进行测试分析。主要研究内容与结果如下： 1.研究了预热处理温度对Ag/MZO/p+-Si器件的阻变性能的影响。不同预热处理温度得到的器件均表现出双极性电阻转变效应，经350℃预热处理的薄膜沿c轴择优取向生长，器件具有最高的高、低阻态电阻比。器件高阻态的低压区为欧姆导电，高阻态高压区为肖特基发射电流传导，在低阻态为空间电荷限制电流（SCLC）传导。 2.研究了膜厚和退火温度对Ag/LZMO/p+-Si器件的阻变特性的影响。以非晶态LZMO为基的Ag/LZMO/p+-Si器件具有典型的双极性电阻转换效应。减小膜厚会降低器件的I-V循环测试性能。膜厚为145nm和214nm的器件经1000次I-V循环，其高、低阻态电阻比，置、复位电压均保持相对稳定。经不同温度退火的器件均具有显著地阻变特性：经1000次I-V循环还保持着较高的高、低阻态电阻比，较为稳定的置、复位电压。Ag/LZMO/p+-Si器件的导电机制多为SCLC机制、导电细丝机制、肖特基势垒发射机制，随内部缺陷的变化而变化。 3.研究了Ag/MZO/LZMO/p+-Si器件和Ag/LZMO/MZO/p+-Si器件阻变特性。Ag/MZO/LZMO/p+-Si器件和Ag/LZMO/MZO/p+-Si器件都具有典型的双极性电阻转换效应。其导电机制都是缺陷能级电荷俘获与释放机制，LZMO/MZO界面缺陷是形成缺陷能级的主要因素。Ag/LZMO/MZO/p+-Si具有更高的高、低阻态电阻比，优良的I-V循环测试性能；置、复位电压累计分布比较集中。