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随着信息技术的高速发展,对电子器件的使用截止频率和高频磁导率的要求越来越高,如何在提高使用截止频率的同时提高磁导率,从物理上和应用上均有很高的研究价值。本博士论文从磁化强度运动方程——LLG方程出发,以双各向异性模型为理论依据、以调控各种体系的各向异性为研究主线,辅以微磁学模拟方法,来研究提高软磁材料高频磁导率和使用截止频率的途径。研究了具有双各向异性单层膜薄膜、多层膜体系；探索了具有双各向异性的纳米球壳、纳米帽和纳米环等异质结构体系。得到的主要结果如下：1.利用斜溅射技术实现了Co基双各向异性单层膜中的高频磁性调控。在COZr(或CoHf)薄膜中,当溅射角度从0到30度变化时,薄膜的各向异性场、磁导率和共振频率会有大幅变化：各向异性场23-158Oe(30-152Oe)、磁导率478-76(380-75)和共振频率1.4-4.5GHz(1.8-4.3GHz)均有大幅变化。2.用多层膜中间层调控了CoZr/SiO2多层膜材料的高频磁特性。利用层间相互作用和层间距的关系,通过改变多层膜材料中间层的厚度,实现了CoZr/SiO2多层膜中的各向异性场170-120Oe、磁导率79.5-112和共振频率3.87-3.47GHz的调控。3.结合层间相互作用和斜溅射技术调控多层膜的高频磁性。在CoHf/Ta多层膜中,利用斜溅射技术,实现了薄膜材料中的高频磁导率451-101、共振频率1.4-3.4GHz和面内单轴各向异性场23-118Oe在更大范围内的调控。4.探索了双各向异性纳米球壳和纳米帽的静态和高频磁性。当内外径比较大时,纳米球壳和纳米帽在垂直球壳方向具有和薄膜相似的退磁场,结合材料本身的各向异性可以形成一种双各向异性体系。并从实验上得到了初步的验证。5.研究了双各向异性纳米环结构中的高频磁导率和结构参数的关系。通过微磁学模拟研究发现纳米环的高频磁导率和共振频率与纳米环的内外径比例和纳米环的长度有关。主要原因是由于垂直环壁方向的退磁场和纳米环长度方向的退磁场构成了一种特殊的双各向异性体系。