基于CMOS技术的红外接收芯片前端设计及实现

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从红外遥控的市场需求和行业发展前景考虑,论文对基于0.5μm硅栅CMOS工艺制造的一款中端全集成红外接收芯片提出了具体的设计方案,并完成了其前端电路(包括电流—电压转换和前置放大器两部分)与版图设计。首先,通过对红外遥控系统的组成和工作原理、红外线的传输方式和环境噪声等内容的了解,明晰了红外接收芯片的工作流程,确定了芯片的整体设计方案和各项设计指标。其次,在满足芯片整体设计前提下,结合光敏检测器件构造了一种变阻结构实现电流—电压转换电路,并采用折叠共源共栅的全差分放大器和电阻、电容构成有源高通滤波器作为前置放大器。在Cadence环境下使用CSMC(上华)0.5μm CMOS mix-signal-Si栅TPDM工艺模型仿真验证以上电路。同时设计完成了它们的版图,总面积在230~*120μm~2左右。芯片整体版图(包括划片道以及测试引脚)在850~*700μm~2左右。最后,对MPW投片返回的芯片分别从电路级别和产品级别进行了测试。测试结果显示芯片前端正常工作;芯片能在2.5~6V的电压范围内工作;接收角度为±45°;晴天室内接收距离达15米左右,较差于市场上的主流产品;有较强的抗噪声能力,在变频荧光灯的环境下芯片能正常工作;能避免瞬间输入光电流过大,太阳光直射下芯片仍能有效输出。此芯片的研制能带来较大的经济效应。目前设计中还存有接收距离较近的不足,需要进一步改进解决。
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