介电性能优异、温度稳定性良好的小型化陶瓷电容器已成为当今电子元器件的发展趋势。本文目的在于获得具有高介电常数、低介电损耗以及低容温变化率的锆钛酸钡（BZT）基陶瓷电容器材料。本实验以Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃陶瓷为基体,采用固相反应法制备x wt.%Ho₂O₃掺杂（1-y）Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃-yBa(Zn_1/3Nb_2/3)O₃（x=0⁷,y=0⁰.1）陶瓷,从稀土元素掺杂和体系复合角度出发,系统地研究Ho₂O₃掺杂量、主晶相组成以及烧结工艺对Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃基陶瓷微观结构与宏观性能的影响。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）以及能谱仪（EDS）分析了Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃基陶瓷的物相组成和表面微观形貌。结果表明,随着Ho₂O₃掺杂量的增加,Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃基陶瓷从钙钛矿型单相固溶体转变为以Ho₂Ti₂O₇为第二相的多相结构;（1-y）Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃-yBa(Zn_1/3Nb_2/3)O₃陶瓷随Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃摩尔量的提高,晶体结构由伪立方相转变为多相共存;在0⁴ wt.%Ho₂O₃掺杂（1-y）Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃-y Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃陶瓷体系中,陶瓷表现为立方钙钛矿结构。通过高低温介电性能测试系统和铁电测试系统得到Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃基陶瓷在多频下的介电性能温谱、介电频谱以及电滞回线,并进一步分析了陶瓷的弥散相变、频率色散和铁电弛豫行为。结果发现,随着Ho₂O₃掺杂量的增加或者Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃摩尔量的提高,Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃基陶瓷的室温介电常数ε_rRT先增大后减小,室温介电损耗tanδ保持在0.01左右;适当的增加Ho₂O₃掺杂量或者提高Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃摩尔量可以使Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃基陶瓷实现从普通铁电体向弛豫铁电体的转变;而Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃基陶瓷的电滞回线表现为由“束腰型”的铁电体向“线性”的顺电体转变。提高烧结温度或延长保温时间可以使Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃基陶瓷的居里温度T_m微调至室温附近,有利于提高室温介电常数。在最佳的烧结工艺下,适当的增加Ho₂O₃掺杂量、提高Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃摩尔量有利于获得温度稳定性良好的Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃基陶瓷电容器材料。基于前两种体系陶瓷中的最佳成分点,同时利用掺杂和复合得到2 wt.%Ho₂O₃掺杂0.97Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃-0.03Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃陶瓷介电常数变化率较低（Δε_r/ε_r=-55.7⁺5%,-30⁸5℃）,室温介电常数较高（ε_r=6731.42）、介电损耗较低（tanδ=0.009）,有望成为环境友好的满足Y5V型要求的温度稳定型陶瓷电容器。