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掺锡氧化铟(ITO)薄膜材料是一种锡掺杂的半导体材料,其优良的光电性能被广泛的应用于透明导电膜的制备中。目前其应用主要是采用溅射法与真空沉积法直接沉积在衬底材料上形成功能性的薄膜,从经济效益上看,这种制备工艺限制了ITO薄膜的应用。本课题是以InCl_3·4H_2O和SnCl_4·5H_2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO)。采用X-射线粉末衍射、紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了在空气和氮气气氛中,不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时