半导体GaAs做激光被动调Q器件及激光器非线性研究

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半导体材料做固体激光器的被动调Q器件和锁模器件用于改善激光器的输出脉宽是近年来国内外研究较热门的课题之一.该文中选用半绝缘非掺杂GaAs基片成功地在脉冲氙灯泵浦的Nd:YAG固体激光器上实现了被动调Q,当重复频率为1Hz、激光器阈值附近获得了脉宽62ns,脉冲能量1.8mJ的单脉冲调Q输出.通过与相同透过率K9玻璃为基底的激光器输出镜做比较,获得的被动调Q动静比约为15.8%.理论分析表明,GaAs材料做激光器被动调Q器件的原因在于其中的EL2深能级缺陷的单电子饱和吸收效应,实验发现经过离子注入处理的GaAs片比未经离子注入处理的GaAs可以获得更好的调Q效果.该实验在国内开展的工作还较少,实验新颖之处在于GaAs片在激光器中既充当被动调Q器件,又充当激光器的输出耦合镜,我们的方法具有腔型简单、插入损耗小、调整方便等优点.
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