【摘 要】
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该文首先对半导体纳米材料量子限域特性进行了系统的研究,介绍了淀积Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜材料的各种技术,并详细地研究了研究人员实验所采用的射频共溅射技术.其次,对GaAs(或In
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该文首先对半导体纳米材料量子限域特性进行了系统的研究,介绍了淀积Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜材料的各种技术,并详细地研究了研究人员实验所采用的射频共溅射技术.其次,对GaAs(或InP)晶粒镶嵌在a-SiO<,2>的复合薄膜的制备与表征进行了研究.采用复合靶共溅射技术来制备GaAs(或InP)晶粒镶嵌在a-SiO<,2>的复合薄膜,通过控制淀积时基片的温度,调节靶面GaAs(或InP)的百分比,来制备不同晶粒尺度与体积百分比的薄膜.XRD和XPS的分析结果表明薄膜是由a-SiO<,2>基体和均匀地弥散在a-SiO<,2>中的GaAs(或InP)构成的.光吸收谱的研究显示,由于量子限域效应,GaAs(或InP)颗粒的能级分离,吸收边蓝移,蓝移量随粒晶的减小而增大.
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