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NiO是一种天然p型直接带隙半导体材料,具有禁带宽度大(3.6eV～4.0eV)、化学稳定性好等优点,已在发光二极管、探测器、激光器、太阳能电池和气体传感器等领域得到广泛研究或应用。针对SiC双极型器件p+-n发射结在室温下注入效率低的问题,采用NiO替代p型SiC作为p+发射区,能够有效提高发射结的注入效率。本文采用磁控溅射的方法在n型4H-SiC衬底上淀积NiO薄膜,制作p-NiO/n-SiC异质结,并对NiO/SiC异质结的光电特性进行了研究。主要工作和结果如下:1、采用磁控溅射的方法在n型4H-SiC(0001)衬底上制备了 NiO薄膜。结果表明,所制备NiO薄膜为多晶结构,当氩气氧气流量比为1:1时,NiO出现(200)晶向的择优生长,薄膜平整致密,晶粒大小均匀一致,约为15nm,NiO薄膜的导电类型为p型,光学带隙宽度约为3.75eV,电阻率为0.051Ω·cm。2、成功制备了 p-NiO/n-SiC异质结并构建了 p-NiO/n-SiC异质结能带图。通过计算得到SiC和NiO的导带差(△Ec)和价带差(△Ev)分别为1.64eV和1.15eV,表明,所制备p-NiO/n-SiC异质结的空穴注入能力较SiC pn结提高了 1.53×108倍。3、对p-NiO/n-SiC异质结的电学特性进行了研究。结果表明,所制备的异质结具有良好的整流特性,开启电压大约为1.4V。变温I-V特性研究结果表明,p-NiO/n-SiC异质结的开启电压和理想因子随着温度的升高而下降,电流的传输机制由低偏压区的欧姆传输机理变为高偏压区的复合隧道导电机理。4、对NiO/4H-SiC异质结的光电特性进行了研究,并通过在界面处引入NiO i层改善了异质结的光电特性。结果表明:NiO i层的引入有效改善了异质结的光电特性,光暗电流比较p-NiO/n-SiC异质结提高了3倍。