【摘 要】
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该文简要综述了目前国内外氮化镓及其相关材料研究进展,介绍了GaN材料的结构、性质与制备以及GaN半导体器件制造的关键工艺技术等方面的研究成果.着重讨论了反应离化团簇束沉
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该文简要综述了目前国内外氮化镓及其相关材料研究进展,介绍了GaN材料的结构、性质与制备以及GaN半导体器件制造的关键工艺技术等方面的研究成果.着重讨论了反应离化团簇束沉积(R-ICBD)方法制备薄膜材料的原理与特点,以及了研究人员运用R-ICBD方法在硅衬底上制备GaN薄膜材料的实验工作.对制备出来的样品进行了分析测试,结果表明在使用了双气流工作方式和ZnO缓冲层后能够通过R-ICBD方法在Si衬底上沉积出GaN薄膜.双气流方式的采用改善了薄膜的化学配比,ZnO缓冲层的应用提高了薄膜的晶体质量.在室温下观察到GaN薄膜的光致发光现象.实验表明双气流R-ICBD方法并采用ZnO过渡层在Si衬底上生长GaN薄膜是一种低成本获取GaN蓝光发光材料的可行的技术途径.
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