碳化硅是制作日盲紫外光探测器的理想材料。本文讨论了光探测器的物理机理和性能参数，建立了4H-SiC PiN器件的物理模型，模拟了器件暗电流、器件面积以及不同温度等因素对器件电流电压特性的影响，模拟分析了碳化硅紫外探测器的光响应灵敏度和量子效率与波长的关系。论文得出了不同温度下PiN器件的光电流和电压的关系曲线，讨论了器件100K-700K下的器件特性，结果表明器件在较高温度时还具有比较一致的特性，证明了SiC雪崩光电二极管可以在高温条件下工作，而该器件不适合在低温下工作。绘制了器件版图，讨论了器件工艺，设计了具体的工艺步骤和工艺参数。提出了改进器件性能的方法和途径。 本文在器件模型、特性和模拟等方面所做的工作对4H-SiC紫外光探测器的研究提供了一些理论依据，为SiC材料紫外光探测器的进一步研究奠定了理论基础。