传统意义认为接触式曝光方式理论极限线宽尺寸为5微米,所以只能通过设备的更新换代,曝光方式的改变,进而提高曝光的线宽尺寸。但是,半导体设备的投资巨大,对于分立器件的生产,使用步进式或投影式光刻机,会大大提高设备成本,随之而来也会带来生产成本的增加。由于自身设计缺陷,接触式光刻机从80年代末开始逐渐被投影式、步进式等等新型设备取代。本课题针对我们所用的Canon-501接触式光刻机作为硬件基础研究,奥林巴斯PROTECH2.5D软件平台度量,力求通过最为传统的曝光方式,得到满足当前生产需要的线宽条件。课题中,首先通过光刻基础的介绍,使读者对影响光刻线宽效果的因素有所了解,其次,对所用实验载体Canon-501光刻机进行分析,概括介绍其曝光原理,成像环境等等,设备部分调试内容作为整个实验条件的基础,不作为重点介绍。整个实验进行过程中,主要对光刻线宽的优化方法进行了详细的分析研究,重点对影响光刻线宽的七个主要因素:光强、能量、对位间隙、匀胶质量、显影质量、曝光时间、氮气气量进行了全面的分析,在理论分析的基础上,分别对其作了关键性的对比实验,实验数据通过奥林巴斯PROTECH2.5D软件平台进行分析与绘图,从直观的角度分析对比,得出了最优方案。