Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)外延铁电薄膜结构和物理性能研究

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随着现代工业和国民经济的蓬勃发展,人们对具备更高性能的各类存储器件的需求逐渐增高,对环境的保护和生物相容性的要求更加迫切。应用于铁电存储器中的铁电薄膜以Pb Zr1-xTixO3(PZT)和SrBi2Ta2O9(SBT)为主,PZT在使用过程中存在着污染环境和疲劳退化问题,SBT存在着自发极化强度小的缺陷。本文选择无铅Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)作为研究对象,构建不同结构的铁电薄膜电容器,研究了电极材料、基片材料和NBT薄膜厚度对NBT基铁电薄膜电容器结构和物理性能的影响。1.采用磁控溅射方法在SrTiO3(STO)(001)基片上制备了80 nm厚的SrRuO3(SRO)薄膜,采用脉冲激光沉积方法在SRO/STO上生长NBT铁电薄膜,研究了生长温度对NBT结构和性能的影响。研究发现,NBT/SRO/STO异质结满足外延关系为NBT[100]||SRO[100]||STO[100]和NBT(001)||SRO(001)||STO(001)。对应725℃最佳生长温度的SRO/NBT/SRO电容器剩余极化强度2Pr为18.01μC/cm~2,矫顽电场2Ec为84.55 kV/cm。2.采用SRO、La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)和LaNiO3(LNO)电极,在STO(001)基片上构架了不同电极材料的NBT薄膜电容器。研究发现,以LSCO为电极的电容器的结构和综合性能最佳,剩余极化强度较高,漏电流密度较小,介电常数较大。SRO/NBT/SRO,LSCO/NBT/LSCO和LNO/NBT/LNO的漏电机制相同,低场区下的漏电机制均为欧姆导电,高场区下的漏电机制均为SCLC导电,但是对应拐点的电场强度不同。在此基础上构建了SRO/NBT/PZT/NBT/SRO铁电电容器,在±416.7 kV/cm的外加电场下,电容器的剩余极化强度2Pr达到了96.42μC/cm~2,矫顽电场2Ec仅为133.6 kV/cm。3.分别在STO(001)和LaAlO3(LAO)(001)基片上制备了SRO/NBT/SRO,LSCO/NBT/LSCO和LNO/NBT/LNO薄膜电容器。研究发现,基片材料直接影响NBT薄膜的结构和物理性能。SRO/NBT/SRO和LSCO/NBT/LSCO电容器在STO基片上的结构更好,剩余极化强度更大,漏电流更小,介电常数更高。LNO/NBT/LNO电容器在LAO基片上的结构更好,剩余极化强度更大,漏电流更小,介电常数更高。4.在STO基片上构架了LSCO/NBT/LSCO铁电电容器,研究了NBT薄膜厚度对NBT薄膜结构和物理性能的影响。结果显示,随着NBT薄膜厚度增加,NBT薄膜的晶格常数和衍射峰强度也增加。400 nm厚的NBT薄膜电容器性能最佳,其剩余极化强度2Pr为36.60μC/cm~2,矫顽电场2Ec仅为82.05 kV/cm。
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