无线局域网络的迅猛发展和个人无线产品的迅速普及，对射频接收机的性能提出了越来越高的要求。而低噪声放大器(LNA)作为射频接收机的第一级有源模块，对接收机系统的噪声和增益的有着重要的影响。SiGe BiCMOS工艺在低噪声应用中可以提供优良的性能，并且容易和其他电路集成。因此在SiGe BiCMOS工艺的基础上设计实现高性能的LNA，具有重要的意义和研究价值。　　 本文首先介绍了无线局域网(WLAN)和相关的IEEE802.11系列协议标准。接着讨论了射频接收机的常用结构，给出了射频接收机的性能指标。之后介绍了SiGeBiCMOS工艺的特性和发展，分析了SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声来源。　　 第一次设计的低噪声放大器基于cascode共发射极放大器结构，输入端采用串并联网络进行阻抗匹配。采用0.13μm SiGe HBT工艺实现，设计的LNA后仿真噪声系数为2dB，增益为17.77dB，功耗等于8mW，输入输出匹配良好。由于测试结果性能恶化，对电路改进重新进行了设计。　　 第二次设计通过加入电阻并联负反馈电路，减小了用于输入匹配的电感，从而减小噪声系数，同时减小了芯片面积。第二次设计采用HHNEC0.18μm SiGe BiCMOS工艺实现。后仿真噪声系数达到1dB，增益19.75dB，输入输出匹配良好。芯片测试结果表明:噪声系数为2.0dB，增益为13.311dB，功耗为12.6mW。