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随着近年来的发展,GaN基紫外LED成为继蓝光LED之后新研究领域热点和市场关注的焦点。GaN基紫外LED具有体积小、寿命长、环保以及坚固耐用等优点,在应用于新一代紫外光源方面具有广阔的的应用前景。长波段365 nm是传统紫外光源的一个典型波长,广泛应用于固化、曝光、防伪等领域。但是,目前该长波波段的GaN基紫外LED的发光效率仍然很低,发光性能还远远满足不了市场的需求,无法完全取代传统长波紫外光源。因此,对于365 nm长波波段的紫外LED进行深入的研究,开发出具有更好光电性能的器件,这对未来的紫外LED取代传统紫外光源并广泛应用于市场各领域具有十分重要的意义和影响。本论文主要研究GaN基紫外LED多量子阱结构调整对其发光效率的影响,希望通过调整使得365 nm左右波段的紫外LED发光性能得到提升。论文首先介绍了LED以及紫外LED的概况和发展情况,之后对GaN基材料的一些性质做了详细的接受,接着又对生长材料的MOCVD技术做了详细的介绍,并全面地介绍了XRD、PL、EL、AFM和SEM这些实验中用到的表征方法。最后设计实验通过调整量子阱阱宽和垒层Al掺量来实现提升发光效率的目的。两部分实验成果如下:1.对InGaN/AlGaN量子阱阱宽调整进行了两个批次实验。在保证波长在365 nm左右波段的条件下,第一个批次实验确定了2倍到5倍阱宽的发光性能优化范围,第二个批次实验则确定了3倍最优阱宽,使得外延片的发光效率最高,性能最好。最终也就得出了通过调整量子阱阱宽来提高365 nmGaN基长波紫外LED发光效率的方案结果。2.对InGaN/AlGaN量子阱垒层Al掺量调整也进行了两个批次实验。在保证波长在365 nm左右波段的条件下,在第一个批次实验中确认了垒层Al掺量在由5%变大时,发光效率变低,性能变差。在第二个批次实验中,确认了垒层Al掺量在由5%变小时,发光亮度略有变低。因此确定了垒层Al掺量控制在5%最合适。最终也就得出通过调整量子阱垒层Al掺量来提高365 nmGaN基长波紫外LED发光效率的方案结果。通过两个批次两部分的实验结果,基本实现了调整量子阱的一些结构来使得365nmGaN基长波紫外LED的光效提升,这也达到了本论文研究的目的和意义。