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砷化镓（GaAs）材料压痕响应的试验研究

来源 :吉林大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiujiejushi

【摘 要】

：

随着科学技术的发展,半导体材料被广泛应用于信息通讯、国防军工、航空航天等领域。与传统的硅半导体材料相比,砷化镓材料具有禁带宽度宽、电子迁移率高、光电特性好、抗辐射、高频性能好等优点,是硅材料之后应用最广泛、研究最成熟的化合物半导体材料之一。一方面,砷化镓材料为典型脆性材料,在材料及其制品的加工过程中极易损坏,另一方面,砷化镓材料的典型服役条件多为具有力电耦合作用的复杂环境,因此,研究砷化镓材料在机

【作 者】

：

孔令奇 

【出 处】

：

吉林大学

【发表日期】

：

2019年11期

【关键词】

：

砷化镓 纳米压痕 玻式压头 平压头 力电耦合 

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