移动通信技术的快速发展推动着移动终端设备越来越智能化。应用于移动终端设备的射频开关在射频前端的设计中发挥着重要作用。通过在射频前端中集成射频开关,智能手机、平板电脑等移动终端设备支持多个频段多个模式的无线通信服务,同时提供全球定位系统（Global Position System,GPS）、无线局域网（Wireless Local Area Network,WLAN）连接、蓝牙通信和射频识别（Radio Frequency Identification,RFID）等功能,极大的便利了人们的生活。随着5G时代的到来,射频开关作为无线通信模块射频前端的重要组件,移动终端设备对射频开关的线性度、插入损耗和隔离度等性能提出更高的要求。本文采用0.28μm SOI CMOS工艺完成DC～6GHz单刀双掷射频开关的设计。单刀双掷射频开关集成了开关驱动模块和开关核心电路模块,其中开关驱动模块包括振荡器、时钟缓冲电路、负压电荷泵和电平转换电路。开关驱动模块用于产生稳定负压。开关核心电路采用基本的串-并联结构,在满足低插入损耗的同时具有高隔离度。开关核心电路在串-并联结构的基础上采用浮栅技术、晶体管堆叠技术和负压偏置技术以提高开关的插入损耗性能和功率处理能力。开关晶体管栅极和体端采用负压偏置有效减小了开关关断时等效关断电容,对于增强功率处理能力和谐波性能的同时改善隔离度性能至关重要。在Cadence Spectre环境下的后仿真结果表明,在2.5V电源电压下,在DC～6GHz频率范围内,单刀双掷射频开关插入损耗小于1d B,隔离度大于27d B,输入1d B压缩点大于28d Bm,开关切换时间小于1μs。单刀双掷射频开关整体版图尺寸为0.67mm×0.41mm。本文设计的DC～6GHz SOI CMOS单刀双掷射频开关各项性能均满足设计指标,流片验证后可应用于智能手机中的WLAN连接、RFID和调频收音机等芯片中,也可应用于集成频带选择开关的宽带功率放大器系统中。