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近年来,由于一维纳米材料具有独特的物理、化学特性以及在纳米器件中的应用前景,它的制备引起了人们的广泛关注。ZnO是一种直接宽带隙半导体(Eg = 3.37 eV),是继宽带半导体材料GaN之后又一研究热点,因其与GaN相比具有大的激子束缚能(60 meV),大于室温下的热离化能(26 meV),可保证在室温下实现紫外激射,因而成为制作紫外激光器的众多候选材料之一。ZnO对环境无害具有生物安全性,同时又是一种多功能半导体材料,高的机电耦合系数、恶劣条件下的高稳定性,使其在光发射器件等方面都有广泛的应用