纳米复合环氧树脂材料在电气绝缘领域应用广泛。为了研究纳米SiO₂粒子分散性、纳米SiO₂粒子质量分数对纳米SiO₂/环氧树脂复合材料介电性能的影响，本文采用“机械法”制备未改性、“机械法”制备改性、“气泡法”制备改性纳米SiO₂复合环氧树脂材料三种方法，分别制备了纳米SiO₂含量为2wt%、3wt%、4wt%、5wt%、6wt%的纳米SiO₂/环氧树脂复合材料，并对纳米SiO₂粒子分散性定量表征，测试纳米复合材料介电谱特性、击穿特性、耐电晕特性。纳米SiO₂含量5wt%时，基于三种制备方法的纳米SiO₂/环氧树脂复合材料扫描电镜SEM图像，运用Image J软件提取出纳米SiO₂粒子特征数据，利用森下氏指数的方法分析纳米SiO₂粒子分散性，结果表明，“气泡法”制备硅烷偶联剂改性纳米SiO₂/环氧树脂复合材料中纳米SiO₂分散性最好，“机械法”制备硅烷偶联剂改性纳米SiO₂/环氧树脂复合材料中纳米SiO₂分散性次之，“机械法”制备未改性纳米SiO₂/环氧树脂复合材料中纳米SiO₂分散性最差。对试样进行介电性实验后发现，纳米SiO₂/环氧树脂复合材料比纯环氧树脂介电常数、介质损耗有所增加，击穿场强有所提高，耐电晕特性有所增强。随纳米含量的增加，三种制备方法的纳米复合材料介电常数均先升高，后降低，介质损耗增大，击穿场强先升高，后降低，耐电晕特性增强。击穿场强随纳米含量增加呈现出先升高，后降低的趋势，符合逾渗理论，并运用逾渗理论解释这种变化的原因。在纳米含量5wt%时，“机械法”制备未改性、“机械法”制备改性、“气泡法”制备改性纳米SiO₂/环氧树脂复合材料介电常数、击穿场强、耐电晕性能均有所提高，结合纳米粒分散性定量表征结果可知，纳米粒子分散性越好，复合材料介电常数越大、击穿性能越好、耐电晕性能越强。