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以砷化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是半导体材料非常重要的组成部分.同共它半导体材料(主要是Si、Ge)相比,这类半导体具有禁带较宽,电子迁移率较高,发光特性良好,光电转换效率很高等优点,用于制作发光二极管,激光器、探测器、高速器件和微波二极管等器件,广泛应用于信息处理、光纤通讯及能源等领域.该论文针对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体AlGaAs和GaAs构成的制造量子阱红外探测器的超晶格材料、Ⅲ-Ⅴ族四元化合物半导体AlGaInP以及目前引起人们广泛关注的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaN的光学特性进行研究和分析.