横向绝缘栅双极型晶体管（Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,LIGBT）由于其驱动电路简单、电流能力强以及与集成电路工艺兼容性强等特点被广泛地应用在功率集成电路领域。逆导型LIGBT（Reverse Conducting LIGBT,RC-LIGBT）在其内部集成了一个反向并联的续流二极管（Free Wheeling Diode,FWD）,因此具备了反向导通能力。对于RC-LIGBT,其研究热点主要为消除Snapback现象和改善正向导通压降VCEON和关断损耗EOFF二者之间的折中关系。基于此,本文提出了两种新型SOI RC-LIGBT器件结构:1.提出了一种具有P型埋层的SOI RC-LIGBT（PBL RC-LIGBT）。该器件结构中引入的P型埋层可以对其下方的电子起到一定的阻挡作用,从而增加了器件的阳极区分布电阻,使得器件可以消除Snapback现象,并且不会占用额外的器件面积。同时,由于其表面构成了超结LDMOS结构,因此可以降低器件的VCEON,同时使得器件具备反向导通能力。相比于SSA-LIGBT,PBL RC-LIGBT的VCEON减小了49.46%,反向导通压降VR-CEON减小了29.8%。在相同VCEON下,PBL RC-LIGBT的EOFF与传统LIGBT相比减小了76.6%,与SSA-LIGBT相比减小了91.9%。并且,PBL RC-LIGBT的关断时间t OFF相比于传统LIGBT减小了55.9%,相比于SSA-LIGBT减小了86.9%。然而,在漂移区发生电导调制效应以后,高浓度的载流子可以穿过P型埋层,这在一定程度上限制了器件性能的进一步提升。2.提出了一种具有介质埋层的SOI RC-LIGBT（DBL RC-LIGBT）。为了克服PBL RC-LIGBT的缺点,DBL RC-LIGBT中通过引入介质埋层使得埋层上方的超结LDMOS与埋层下方的LIGBT之间形成了更好的电学隔离。相比于PBL RC-LIGBT,DBL RC-LIGBT具备更优的动静态性能。仿真结果表明,DBL RC-LIGBT的VCEON相比于传统的LIGBT减小了31.3%,相比于SSA-LIGBT减小了71.4%,相比于PBL RC-LIGBT减小了43.5%。DBL RC-LIGBT的VR-CEON相比于SSA-LIGBT减小了20.6%。在相同VCEON下,DBL RC-LIGBT的EOFF与传统LIGBT相比减小了90.5%,t OFF减小了77.1%。