【摘 要】
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半导体纳米材料以其独特的电学,光学性能引起人们广泛的研究兴趣。CdS作为一种重要的II-VI族化合物半导体材料,在激光、太阳能电池、发光显示器件、生物检测等有广泛潜在的应
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半导体纳米材料以其独特的电学,光学性能引起人们广泛的研究兴趣。CdS作为一种重要的II-VI族化合物半导体材料,在激光、太阳能电池、发光显示器件、生物检测等有广泛潜在的应用。如何合理的控制材料的定向生长,如何控制材料的形貌,晶体结构及粒径大小对材料的性能有重要的影响。本文对半导体纳米材料的形貌尤其是二维形貌,单分散性半导体量子点等方面进行了有意义的探索。本文主要研究如下:研究了二维CdS纳米结构的溶剂热制备技术。使用了奇特的有机硫源4.4’-二硫代二吗啉(DTDM),在不同的溶剂如苯和四氯化碳中合成了不同晶型和不同形貌的CdS晶体结构,实现了花状CdS纳米晶和CdS纳米棒聚集体的控制,DTDM特殊的分子结构和DTDM的分解方式对CdS纳米材料的形貌有影响,并对形成机理进行了研究。同时通过光致发光谱和电致发光谱来研究它的光学性能,电致发光测试表明合成的样品有很好的稳定性和高的电致发光性能。利用高分子化合物聚丙烯酸(PAA),利用水热技术合成了半导体CdS纳米片。同时发现反应的溶剂对CdS的形貌有重要的影响,也研究了片状CdS的合成机理,研究了它的光学性能。采用了十八胺(ODA)辅助溶剂热合成了ZnSe纳米结构。这对用高分子化合物控制纳米材料的形貌提供了研究思路。使用了低成本的无机化合物作为前躯体,油酸和十八胺作为表面活性剂,通过简单的溶剂热的方法来合成大小和形貌均一的CdS纳米晶。研究发现反应温度对纳米晶的合成有重要作用。同时用相似的溶剂热方法合成ZnS纳米晶。采用水热的方法合成出氧化物半导体纳米结构如:SnO2纳米粒子,一维MnOOH纳米带。
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