2001年1月，日本科学家Akimitsu及其同事首先发现了MgB2材料的超导电性。由于其晶体结构简单，原料容易获得而且制备方法简单，而且超导转变温度Tc高达40K，同时MgB2具有较高的上临界磁场和临界电流密度、较大的相干长度。因此MgB2在核磁共振成像技术、加速器技术等超导的强电应用方面，有很大的应用潜力。　　 从基础研究的角度看，MgB2材料也有特殊性。其超导物理机理符合传统的BCS理论描述的电声子相互作用机制。同时MgB2具有两个超导能隙，分别对应于两类电子能带的贡献，这在物理上有重大的研究意义。　　 研究MgB2超导材料的物理特性，应用MgB2超导材料都需要高质量的MgB2超导薄膜。　　 我们利用物理化学气相沉积方法成功地制备出了具有超高载流能力的干净极限MgB2薄膜样品，各种参数均达到世界最好水平。同时我们也制备出了8μm的MgB2厚膜和厚度小于15nm的超薄薄膜样品。在不同衬底上制备出了性能各异的MgB2超导膜。此外，我们还将原有的混合物理化学气相沉积装置(HPCVD)发展为热丝辅助混合物理化学气相沉积装置(HFA-HPCVD)，成功地利用甲烷作为碳源实现了对干净MgB2样品的可控碳掺杂。