我们使用射频磁控溅射仪器,通过改变基底温度,采用单靶溅射方法制备不同结晶程度的C02FeSi化合物薄膜；用共溅射方法在玻璃基底上制备不同金属体积分数的C02FeSi—A1203颗粒膜。并且对样品的结构、反常霍尔电阻率、低磁场霍尔灵敏度及纵向电阻率同温度的关系进行了系统研究。结构分析显示,C02FeSi化合物薄膜在一定基底温度(Ts=853,843,813,743,723,693,673K)下以A2型无序结构存在,对于基底温度为873K的样品以L21和B2结构存在,(C02FeSi)x(A1203)1-x颗粒膜(x=1样品对应室温沉积的Co2FeSi薄膜)样品均呈非晶状态。颗粒膜体系呈现纳米尺度的C02FeSi金属颗粒均匀分布在非晶态的Al2O3母体中,呈现非常好的纳米颗粒薄膜结构,并且当金属体积分数x减小时,金属颗粒尺寸呈减小趋势。电阻率结果显示,室温沉积的Co2FeSi薄膜显示非金属特性,而在高温下沉积的薄膜样品呈现金属特性。根据三维经典逾渗理论确定(C02FeSi)x(A1203)1-x颗粒膜体系的经典逾渗阈值Xc～0.48。对不同结晶程度的C02FeSi化合物薄膜样品,反常霍尔电阻率ρAS与纵向电阻率ρxx之间满足标度关系ρAs∝ρxxn,但是标度指数n大于2；而室温下制备的(C02FeSi)x(A1203)1-x颗粒膜(0.58≤x≤1)样品的反常霍尔电阻率ρAS与纵向电阻率ρxx之间呈非线性关系,即不满足标度关系ρAs∝ρxxn当x从1减小到0.67时,ρxx增加～25倍,而ρAS的增加值要小于50%,这些数据表明纵向电阻率和反常霍尔电阻率是由不同输运机制掌控的,所以(C02FeSi)x(A1203)1-x颗粒膜样品的纵向电阻率和反常霍尔电阻率间不满足标度关系。低磁场霍尔灵敏度的计算结果显示,不同结晶程度的C02FeSi化合物薄膜的低磁场霍尔灵敏度KH对温度的敏感性都比较弱。对(C02FeSi)x(A1203)1-x颗粒薄膜体系而言,x=0.6和x=0.65这两个样品在75-300K温度范围内KH值几乎不发生改变,同时KH值比霍尔器件Si或Ge的灵敏度高,所以类似这样的样品可望成为高灵敏度低磁场霍尔器件的候选材料。