随着对更多高质量功能晶体的不断需求，需要对晶体生长机制给予更深入的研究。本文依据晶体生长动力学理论采用蒙特卡罗方法对低过饱和度溶液中的晶体生长过程进行了计算机模拟。结果表明，二维成核生长机制是完整光滑界面晶体生长的主要机制。并通过对晶体生长形态和生长动力学曲线的计算机模拟，可以清晰的区分出二维成核生长的单核生长机制和多核生长机制。在低过饱和度和高的热粗糙度溶液中，线性的二维单核生长是其主要生长机制。在热粗糙度较低时晶体生长机制转向法向生长，而在溶液过饱和度极低时二维晶核难以形成，成为了二维成核生长的生长死区。本文考虑了表面扩散、晶体生长表面尺寸和平均生长高度对晶体生长速率的影响，模拟结果表明表面扩散对晶体生长速率有一定影响，然而随着热粗糙度的增大，这种影响逐渐变小。为了更深入地研究晶体生长机制，本文还采用蒙特卡罗方法对晶体生长溶液（电解质溶液）的结构以及生长基元的形成过程进行了研究，分析了不同溶液浓度下可能的基元结构，并考察了溶剂对基元结构的影响。以上对晶体生长机制和溶液结构的计算机模拟加强了对晶体生长理论的认识，而对非线性有机光学晶体MMTWD的实验研究则是为了对实际晶体和晶体生长增加更直接和具体的认识。本文通过测量MMTWD晶体的拉曼光谱和红外光谱，结合商群对称性分析，确定了该晶体的三维网状结构特征，解释了其结构和性能之间的关系。